研微减压外延设备(RP EPI):Perfectus-R，硅外延工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，Perfectus-R主要应用于异质外延层(SiGe/Si或是SiP/Si)生长。旨在逻辑芯片高端CMOS工艺上提高电子或是空穴的迁移率，进而提升器件性能。
减压外延设备
研微减压外延设备(RP EPI):Perfectus-R，硅外延工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，Perfectus-R主要应用于异质外延层(SiGe/Si或是SiP/Si)生长。旨在逻辑芯片高端CMOS工艺上提高电子或是空穴的迁移率，进而提升器件性能。
高端芯片所需的NMOS/PMOS/Channel si/Channel siGe/纯Ge
产能提升至原来1.5倍，更低的CoO
模拟优化反应腔设计，以达到Wafer 膜厚和掺杂的均匀性、中间-边缘可调性等性能要求
适用于Channel/NMOS/PMOS应用，卓越的电性和缺陷控制
顶尖的机台稳定性、可靠性和安全性，多层次硬件和软件安全互锁测试
优秀软件操作系统和智能数据分析平台，世界顶尖工艺/硬件客户服务团队